- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 150 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 90A... |
1 | 120 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 1200V 33... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | PTD WBG & POWER RF |
1 | 2,000 | 加入询价 |
