- 品牌：
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- Diodes Incorporated (11)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 10.3... |
1 | 28,617 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 10.3... |
1 | 8,707 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 10.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
