- 品牌:
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- 工作温度:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 120V 42A... |
1 | 615 | 加入询价 | ||
Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET 40V/70A/0.005 |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET N-CH 200V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET N-CH 250V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | TJ20A10M3(STA4,Q |
1 | 2,000 | 加入询价 |