25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSP298 E6327 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500...
1 2,000 加入询价
BSP298L6327HUSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500...
1 2,000 加入询价
BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500...
1 2,000 加入询价
APT4065BNG Microsemi
MOSFET N-CH 400V 11A...
1 2,000 加入询价
APT4012BVR Microsemi
MOSFET N-CH 400V 37A...
1 2,000 加入询价
APT4012BVRG Microsemi
MOSFET N-CH 400V 37A...
1 2,000 加入询价
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