- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Intersil(瑞萨电子公司) | ABU / MOSFET |
1 | 5,905 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | ABU / MOSFET |
1 | 5,871 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 150V 38A... |
1 | 2,827 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | ABU / MOSFET |
1 | 2,982 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS9 SOP-ADV(N) P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 100V 4.5MOHM... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 900V 1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |