- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 100... |
1 | 215 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 72A... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 148... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 60V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 120V 88A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 33V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 120V 56A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET 40V/70A/0.005 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 33V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 50V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
