- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | P-60V,-4.5A,RD(MAX)<11... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<8.4M@10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-50A,RD(MAX)<80... |
1 | 2,336 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 2,490 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V, 11A,RD<360M@10V,... |
1 | 4,900 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 100V,6... |
1 | 359 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 772 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 110A,RD<7M@10V,V... |
1 | 797 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-60A,RD(MAX)<80... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-60A,RD(MAX)<80... |
1 | 646 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 145 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 98 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 780 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 150A,RD<4.8M@10V... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 34 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 120A,RD<4.5M@10V... |
1 | 779 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 190A,RD<3.5M@10V... |
1 | 766 | 加入询价 |
