供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSZ0909NSATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 9A/...
1 72,858 加入询价
DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10.8...
1 2,500 加入询价
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