- 品牌：
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- Diodes Incorporated (15)
- ON Semiconductor (7)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 258,737 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 25,319 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 246,729 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 55V 2.1A... |
1 | 1,699,830 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 310M... |
1 | 77,990 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 180M... |
1 | 78,543 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A... |
1 | 63,030 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 310M... |
1 | 416,935 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 9,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 2,955 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 180M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 310M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 180M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
