- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (97)
- Infineon Technologies (405)
- Nexperia (22)
- ON Semiconductor (619)
- STMicroelectronics (11)
- Goford Semiconductor (16)
- UMW (2)
- Vishay / Siliconix (221)
- YANGJIE (3)
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
1,474 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A... |
1 | 32,382 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17A... |
1 | 135,586 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A... |
1 | 49,882 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A... |
1 | 15,777 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 31A... |
1 | 47,406 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A... |
1 | 5,985 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 19A... |
1 | 15,854 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 47A... |
1 | 36,197 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 31A... |
1 | 70,384 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.3... |
1 | 8,783 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A... |
1 | 10,974 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A... |
1 | 6,113 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A... |
1 | 9,476 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 310M... |
1 | 77,990 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 180M... |
1 | 78,543 | 加入询价 | ||
Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 42,300 | 加入询价 | ||
Taiwan Semiconductor | -60, -0.15, SINGLE P-C... |
1 | 22,594 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 50,264 | 加入询价 | ||
Taiwan Semiconductor | -60, -0.14, SINGLE P-C... |
1 | 23,425 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
1 | 9,450 | 加入询价 |