- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 9,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<24M@10V,... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V, 25A,RD<15M@10V,V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<20M@-10V... |
1 | 7,674 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<17M@10V,... |
1 | 3,812 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 80A,RD<6.5M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 10,694 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<22M@-10V... |
1 | 3,845 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 2,955 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 12,405 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 2,802 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH,100V, 2... |
1 | 2,400 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<250M@10V... |
1 | 2,974 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 2.5A,RD<220M@10V... |
1 | 699 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 5A,RD<130M@10V,V... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<130M@-4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
