供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
STP11NM60 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A...
1 2,000 加入询价
STB11NM60T4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A...
1 2,000 加入询价
STB11NM60-1 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A...
1 2,000 加入询价
STP12NM50FD STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A...
1 2,000 加入询价
STW14NM50FD STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A...
1 2,000 加入询价
STB12NM50FDT4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A...
1 2,000 加入询价
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