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- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 技术：
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- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
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1,101 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GAN FET 40V .002OHM ... |
1 | 9,298 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | |
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|
EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | |
|
|
EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | MOSFET N-CH 20V 4WL... |
1 | 13,923 | 加入询价 | |
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|
GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-3 G3R S... |
1 | 1,200 | 加入询价 | |
|
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GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-4 G3R S... |
1 | 3,659 | 加入询价 | |
|
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Nexperia | MOSFET P-CH 20V 4WL... |
1 | 15,199 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | MOSFET P-CH 20V 6WL... |
1 | 17,988 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 15,892 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT 1700V D3P... |
1 | 362 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 665 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN DIE 100V... |
1 | 10,400 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 100V .0032O... |
1 | 25,947 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWE... |
1 | 178 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 4,500 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A... |
1 | 2,961 | 加入询价 | |
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PANJIT | 100V/ 4.4MOHM/ EXCEL... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 4,792 | 加入询价 |
