FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
RUC002N05HZGT116 ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 200M...
1 203,713 加入询价
PMCM4401UNEZ Nexperia
MOSFET N-CH 20V 4WL...
1 13,923 加入询价
PMCM4402UPEZ Nexperia
MOSFET P-CH 20V 4WL...
1 15,199 加入询价
PMCM6501UPEZ Nexperia
MOSFET P-CH 20V 6WL...
1 17,988 加入询价
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