- 品牌:
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- 安装类型:
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- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 技术:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
1,085 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
EPC | GAN FET 40V .002OHM ... |
1 | 9,298 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 20V 4WL... |
1 | 13,923 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-3 G3R S... |
1 | 1,200 | 加入询价 | ||
GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-4 G3R S... |
1 | 3,659 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET P-CH 20V 4WL... |
1 | 15,199 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET P-CH 20V 6WL... |
1 | 17,988 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 15,892 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | TRANS SJT 1700V D3P... |
1 | 362 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET N-CH 300V 38A... |
1 | 2,403 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 665 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN DIE 100V... |
1 | 10,400 | 加入询价 | ||
EPC | TRANS GAN 100V .0032O... |
1 | 25,947 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWE... |
1 | 178 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 4,500 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 5,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A... |
1 | 2,961 | 加入询价 | ||
PANJIT | 100V/ 4.4MOHM/ EXCEL... |
1 | 6,000 | 加入询价 |