- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (30)
- Infineon Technologies (151)
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- 安装类型：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
624 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 210 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 247 | 加入询价 | |
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|
SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 188 | 加入询价 | |
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EPC Space | GAN FET HEMT 100V 5... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 700V TO... |
1 | 41 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 990 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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EPC | TRANS GAN 170V DIE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | - |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 80V .0033O... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 600V TO220-3-1 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 18... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET P-CH -100V -2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | TRENCH 6 30V NCH |
1 | 2,000 | 加入询价 |
