FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
CSD19538Q2T Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 13....
1 812 加入询价
SISS71DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 100V 23A...
1 2,000 加入询价
CSD19538Q2 Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 14....
1 2,000 加入询价
CSD19538Q3A Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 15A...
1 2,000 加入询价
CSD19538Q3AT Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 15A...
1 2,000 加入询价
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