- 品牌：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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9 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 358 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 39A... |
1 | 131 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 38A... |
1 | 1,221 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 39A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 39A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V, 39A, 4-PIN THD, ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V, 39A, 4-PIN THD, ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 1200V COOLSIC MOSF... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
