- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 33... |
1 | 18,372 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 33... |
1 | 6,551 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 9,080 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 6,945 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 12,356 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 13,504 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 33... |
1 | 27,440 | 加入询价 |
