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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
1200 V
(1)
1700 V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
27 nC @ 15 V
(1)
27.5 nC @ 15 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
UnitedSiC
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) : 515毫欧 @ 5A,12V
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
UF3C170400K3S
UnitedSiC
SICFET N-CH 1700V 7....
1
18,232
加入询价
UF3C120400K3S
UnitedSiC
SICFET N-CH 1200V 7....
1
2,000
加入询价
UF3C170400K3S
UnitedSiC
-
库存 : 18,232
询价
UF3C120400K3S
UnitedSiC
-
库存 : 2,000
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