FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI2369BDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.6A...
1 49,833 加入询价
RQ6E050ATTCR ROHM Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A ...
1 20,555 加入询价
BUK7M27-80EX Nexperia
MOSFET N-CH 80V 30A...
1 650 加入询价
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