- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microchip Technology | TRANS SJT N-CH 1200... |
1 | 106 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 27 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 8... |
1 | 46 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 8... |
1 | 9 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 7 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 3300 V 25... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
