- 品牌：
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- Microsemi (3)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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5 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICO... |
1 | 30 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL SILICO... |
1 | 28 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 51... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
