供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G2K3N10H Goford Semiconductor
MOSFET, N-CH,100V, 2...
1 2,400 加入询价
G2K3N10G Goford Semiconductor
N100V, 2.5A,RD<220M@10V...
1 699 加入询价
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