供应商器件封装:
FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G080P06M Goford Semiconductor
P-60V,-195A,RD(MAX)<7....
1 772 加入询价
MCB145N06Y-TP Micro Commercial Components (MCC)
N-CHANNEL MOSFET...
1 2,000 加入询价
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