供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMTH3004LFG-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 15A...
1 2,000 加入询价
DMTH3004LFG-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 15A...
1 2,000 加入询价
DMTH3004LFGQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 15A...
1 2,000 加入询价
DMTH3004LFGQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 15A...
1 2,000 加入询价
SI7368DP-T1-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A...
1 2,000 加入询价
SI7368DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A...
1 2,000 加入询价
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