封装/外壳:
供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A...
1 10,000 加入询价
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET_)40V 60V) PG-...
1 3,680 加入询价
SUP90N06-5M0P-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 90A...
1 2,000 加入询价
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