- 品牌:
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- 工作温度:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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- FET 功能:
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- 功率耗散(最大值):
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8 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Comchip Technology | MOSFET |
1 | 2,990 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 12,763 | 加入询价 | ||
Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 27 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 100V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |