漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TSM045NA03CR RLG Taiwan Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 108A...
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FDS86540 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A...
1 2,000 加入询价
IRF6636TRPBF Infineon Technologies
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1 2,000 加入询价
IRF6636 Infineon Technologies
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1 2,000 加入询价
IRF6636TR1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 18A...
1 2,000 加入询价
IRF6636TR1PBF Infineon Technologies
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