- 品牌：
-
- ON Semiconductor (1)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5.6... |
1 | 2,073 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 2.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
