供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRLR2705TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A...
1 23,430 加入询价
IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A...
1 13,655 加入询价
94-2335 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A...
1 2,000 加入询价
IRLR2705TRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A...
1 2,000 加入询价
IRLR2705TR Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A...
1 2,000 加入询价
IRLR2705PBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A...
1 2,000 加入询价
IRLR2705TRRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A...
1 2,000 加入询价
PHD34NQ10T,118 NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 100V 35A...
1 2,000 加入询价
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