- 品牌:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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11 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A... |
1 | 2,913 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 1,904 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A... |
1 | 800 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 274A... |
1 | 1,133 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A... |
1 | 1,990 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-HS... |
1 | 1,973 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 194A... |
1 | 338 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 110A... |
1 | 686 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 194A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |