25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPA60R125C6XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A...
1 2,000 加入询价
IPW60R125C6FKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A...
1 348 加入询价
FCP125N60E ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 29A...
1 799 加入询价
IPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A...
1 98 加入询价
IPP60R125C6XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A...
1 2,000 加入询价
APT30N60BC6 Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 30A...
1 3 加入询价
APT30N60KC6 Microsemi
MOSFET N-CH 600V 30A...
1 2,000 加入询价
APT30N60SC6 Microsemi
MOSFET N-CH 600V 30A...
1 2,000 加入询价
FCH125N60E ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 29A...
1 2,000 加入询价
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