供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A...
1 479 加入询价
CSD19506KCS Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A...
1 43 加入询价
IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A...
1 2,000 加入询价
IPP023N10N5AKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120...
1 2,000 加入询价
FDP2D3N10C ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 222...
1 2,000 加入询价
IPP023NE7N3G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A...
1 2,000 加入询价
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