- 品牌：
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- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (3)
- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
1 | 4,402 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 50A... |
1 | 4,786 | 加入询价 | |
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Nexperia | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 2,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 3A,RD<140M@10V,V... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 110A... |
1 | 930 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 100V 480... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 1.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 16.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 1.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
