- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.6... |
1 | 77,211 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.4... |
1 | 63,617 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.4... |
1 | 3,438 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 2,463 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 8A... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 1.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V SO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
