- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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37 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 489 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 7 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | COOLMOS CFD7 SUPE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
