- 品牌：
-
- Intersil（瑞萨电子公司） (4)
- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (3)
- STMicroelectronics (15)
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
61 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 42A... |
1 | 17,671 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 70A... |
1 | 3,524 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 5,366 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 2,553 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 70A... |
1 | 4,800 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TO... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
|
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 60V 40A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 600V |
1 | 795 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.8... |
1 | 2,746 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 1,381 | 加入询价 | |
|
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 600V |
1 | 790 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 24A... |
1 | 974 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TO... |
1 | 980 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 60V 89A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 80V 67A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 60V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
