单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

封装/外壳：

供应商器件封装：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	APT50M80B2VRG	Microsemi	MOSFET N-CH 500V 58A...	1	2,000	加入询价
	APT8024LVRG	Microsemi	MOSFET N-CH 800V 33A...	1	2,000	加入询价

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