- 品牌：
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- PANJIT (3)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PANJIT | TO-220AB, MOSFET |
1 | 1,424 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.... |
1 | 463 | 加入询价 | |
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PANJIT | 200V N-CHANNEL ENH... |
1 | 1,943 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.... |
1 | 469 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N 200V, RD(MAX)<0.16@10... |
1 | 2,285 | 加入询价 | |
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PANJIT | 200V N-CHANNEL ENH... |
1 | 2,035 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 18A,RD<0.16@10V,V... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH ENH F... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
