- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | P-60V,-4.5A,RD(MAX)<11... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 25A,RD<27M@10V,V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<52M@-10V... |
1 | 7,604 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V, -20A,RD<45M@-10V... |
1 | 2,521 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<45M@-10V... |
1 | 4,450 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 15,761 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH, 60V,6A... |
1 | 3,920 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 2,417 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-40A,RD(MAX)<30M... |
1 | 4,937 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 772 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 110A,RD<7M@10V,V... |
1 | 797 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 181 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 34 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-32A,RD(MAX)<40M... |
1 | 45 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH, 60V,40... |
1 | 70 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-CH, -60V, 65A, RD(MA... |
1 | 132 | 加入询价 |
