- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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5 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N60V, 25A,RD<27M@10V,V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N 200V, RD(MAX)<0.16@10... |
1 | 2,285 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N150V,RD(MAX)<65M@10V... |
1 | 2,157 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 2,490 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 100V,6... |
1 | 359 | 加入询价 |
