- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (7)
- ON Semiconductor (51)
- STMicroelectronics (420)
- Goford Semiconductor (12)
- Littelfuse (20)
- SparkFun (1)
- Taiwan Semiconductor (23)
- 工作温度：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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683 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 8A... |
1 | 141 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 120A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A... |
1 | 495 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 16A... |
1 | 986 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 3,915 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 184 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 6.2... |
1 | 970 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 128 ... |
1 | 496 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 100 V STR... |
1 | 369 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 800 V, 400 ... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 140 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 194 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 279 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 114 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 100V 64A... |
1 | 400 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.3... |
1 | 8,249 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 10A... |
1 | 2,175 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.2... |
1 | 1,635 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 2.5... |
1 | 2,237 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 77A... |
1 | 1,566 | 加入询价 |
