- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 17A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 27A... |
1 | 5,978 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A... |
1 | 790 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A... |
1 | 2,998 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 56 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 41A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 28A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 39A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 2,000 | 加入询价 |
