- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 23A... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 7.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
