- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | LOW POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8... |
1 | 87 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A... |
1 | 14 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 1.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
