- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N100V, 3A,RD<140M@10V,V... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-4.5A,RD(MAX)<11... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 25A,RD<27M@10V,V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<52M@-10V... |
1 | 7,604 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V, -20A,RD<45M@-10V... |
1 | 2,521 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-2.2A,RD(MAX)<3... |
1 | 3,998 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<45M@-10V... |
1 | 4,450 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<14M@-10V... |
1 | 4,978 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-CH, -100V, 20A, RD(M... |
1 | 3,579 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 15,761 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH, 60V,6A... |
1 | 3,920 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 2,417 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-40V,-13A,RD(MAX)<15M... |
1 | 3,990 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<280M@10V... |
1 | 2,460 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N 200V, RD(MAX)<0.16@10... |
1 | 2,285 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-40A,RD(MAX)<30M... |
1 | 4,937 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N150V,RD(MAX)<65M@10V... |
1 | 2,157 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<10M@-10V... |
1 | 2,495 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-50A,RD(MAX)<80... |
1 | 2,336 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 2,490 | 加入询价 |
