- 安装类型：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 1,519 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 721 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 190 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 142 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 160 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 622 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 938 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 988 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 940 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 870 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 307 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 271 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
