- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- STMicroelectronics (11)
- ROHM Semiconductor (77)
- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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118 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 21 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 1200V COOLSIC MOSF... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 22M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V, 118A, THD, TREN... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 40... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 40... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 22... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 14... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 29A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
