供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
NVBG022N120M3S ON Semiconductor
SIC MOS D2PAK-7L 22...
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IMT65R260M1HXUMA1 Infineon Technologies
SILICON CARBIDE ...
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IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies
SILICON CARBIDE ...
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IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies
SILICON CARBIDE ...
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SILICON CARBIDE ...
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IMT65R057M1HXUMA1 Infineon Technologies
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